セミナー概要
電気自動車（EV）の普及や産業の自動化を背景に、電力需要は世界的に増加の一途を辿っています。特に、電源やモーターは電力消費量の大部分を占めており、その効率改善は脱炭素社会の実現に向けた喫緊の課題となっています。その鍵を握るのが、エネルギーの損失を最小限に抑え、効率的な電力変換を実現する「パワー半導体」です。
これまでパワー半導体の基盤材料として主にシリコン（Si）が用いられてきましたが、さらなる高効率化や小型化のニーズに対応すべく、SiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）などの次世代材料の活用が加速しています。これらの材料は、従来のシリコンと比べて低損失・高耐圧といった特性を持ち、電力変換効率の飛躍的な向上が期待されています。しかし、SiCやGaNの製造には高度な加工技術が求められ、原材料の確保やコストが依然として課題となっています。また、量産技術の確立やサプライチェーンの整備も重要なテーマであり、産業界全体での取り組みが求められています。
本セミナーでは、長年にわたりパワー半導体の研究開発に携わってこられた筑波大学の岩室 憲幸教授をお迎えし、最新の技術動向および市場展望について詳しく解説いただきます。技術革新が進み、国際競争が激化するパワー半導体の「現在地」を把握し、これからの進化がもたらす未来の可能性を探る機会として、ぜひご参加ください。
このような方におすすめ
・半導体や関連産業の研究、開発に携わっている方
・パワー半導体、パワーデバイスの製造、開発に携わっている方
・半導体の最新技術動向に関心のある方
登壇者
岩室 憲幸氏
筑波大学
数理物質系 教授
略歴
1984年4月、富士電機㈱入社。1988年からシリコンIGBTならびにSiCパワーデバイス研究、開発、製品化に従事。1992〜93年、米国North Carolina State Univ. 客員研究員。1998年 博士（工学）（早稲田大学）。2009 年5月〜2013年3月、産業技術総合研究所にてSiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。2013年4月から国立大学法人筑波大学教授。現在に至る。
開催概要
日 時：2025年4月9日(水) 16:00-17:00
場 所：オンライン（Zoom）
参 加 費：無料 (事前登録制)
主 催：ストックマーク株式会社
※競合企業様などのご参加をお断りする場合がございます。予めご了承くださいませ。
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