セミナー概要
※本セミナーは、ゲストとして京都先端大学の松波 弘之教授をお招きし「パワー半導体」についての現在地と今後の課題をお話いただきます。
パワー半導体の材料として、注目を集めているのがSiC（炭化ケイ素）です。グリーンイノベーションの実現を加速する次世代半導体として関心が高まっており、多くの半導体メーカーによって開発が進められています。
SiCパワー半導体は高電圧・高速スイッチング・高温動作という特徴を持ち、従来のSi（シリコン）で作られたパワー半導体とは比較にならない性能を保有することで知られています。
すでに経済産業省やNEDOをはじめとした国の研究支援が始まっており、グリーンイノベーション基金の支援対象としても採択。ローム株式会社や株式会社デンソーなど、民間企業による開発・試作も活発化しており、大学や研究機関との連携も加速しています。
本セミナーでは、「パワー半導体」の基盤に活用されるSiC（炭化ケイ素）の実用化について長らく研究を行い、電気電子工学分野の世界的学会「IEEE」から日本人として4人目のエジソンメダルを受賞した松波教授をお招きし、最先端のパワー半導体の実用化に向けた研究成果や今後の課題について講演いただきます。
次世代インフラやエネルギー技術に関心のある方、パワー半導体の未来を知りたい方、エジソンメダルを受賞された松波氏の取り組みについて知りたい方は、ぜひこの機会にご参加ください。
このような方におすすめ
・製造業にてパワー半導体の研究開発に携わっている方
・パワー半導体に関連する技術分野の研究や開発に携わっている方
・パワー半導体の最新技術動向に関心のある方
登壇者
松波 弘之氏
京都先端科学大学
特任教授
京都大学工学部電子工学科を卒業後、京都大学にて助教授を務める。その後、アメリカ合衆国のノースカロライナ州立大学で客員准教授、京都大学で教授を歴任し、2003年には京都大学にて名誉教授へ。科学技術振興機構（JST）にて産学連携アドバイザーとして、パワー半導体の産学連携を推進。現在は京都先端科学大学で特任教授を務める。2023年にはこれまでの功績から、IEEEから日本人で4人目の「エジソンメダル」を受賞。その他、多数の学会からの受賞歴があり、日本のパワー半導体研究の第一人者。著書には「半導体材料とデバイス」や「半導体SiC技術と応用」がある。
開催概要
日 時：2025年7月15日(火) 15:00-16:00
場 所：オンライン（Zoom）
参 加 費：無料 (事前登録制)
主 催：ストックマーク株式会社
※競合企業などのご参加をお断りする場合がございます。予めご了承くださいませ。
セミナーに申し込む
お申込み後に視聴用URL発行のメールが送信されます。もし、メールが届かない場合は、「marketing@stockmark.co.jp」にご連絡をお願いいたします。