セミナー概要
電動化・省エネ・高効率化があらゆる産業で求められる今、従来の限界を超える次世代パワー半導体として「GaN（窒化ガリウム）」が急速に注目を集めています。
GaNは、従来のSi（シリコン）やSiC（炭化ケイ素）と比べてスイッチング速度が非常に速く、オン抵抗が低く、高周波動作に優れるという特性を持ち、電力変換の効率化や回路の小型化において大きなアドバンテージを発揮します。
これにより、従来の材料ではサイズや発熱、応答速度の限界から困難とされていた、GaNパワーデバイスを用いた超小型高速充電器や高密度サーバー電源、衛星・ドローンなどの軽量電源システムといった領域への応用が、一気に現実味を帯びてきました。中でも、高速スイッチングが求められる機器や、空間・熱の制約が厳しい分野でのニーズが急増しており、今後の技術展開と市場成長が強く期待されています。
一方で、GaNパワー半導体の実用化は一部分野で進みつつあるものの、産業全体での普及はまだ限定的であり、高密度な電流に伴う発熱やそれに対応するパッケージング技術の高度化、長期信頼性の確保、回路設計におけるノウハウの蓄積といった、いくつかの技術的課題も残されています。これらをどう乗り越えるかが、応用領域の拡大と社会実装の加速に向けた重要な鍵となります。
本セミナーでは、高電圧・大電力用途を見据えた縦型GaNパワーデバイスの研究開発を先導する、名古屋大学の加地 徹特任教授をお招きし、GaNパワー半導体の技術的な可能性と課題、そして産業界との連携による社会実装の展望について解説いただきます。
このような方におすすめ
・次世代パワー半導体の技術動向を把握したい技術者・研究者
・電動化・省エネを推進する製品開発担当者
・今後の事業戦略や技術投資を検討するマネジメント・企画部門の方
登壇者
加地 徹氏
名古屋大学 未来材料・システム研究所
未来エレクトロニクス集積研究センター 特任教授
1978年 名古屋大学大学院工学研究科 博士後期課程中退、同年 株式会社豊田中央研究所に入社。工学博士。研究所では、光学測定システム開発、GaAsの結晶成長、GaNレーザー、およびGaN LEDの開発に従事。2000年ごろから、LED開発と平行してGaNパワーデバイスの研究を開始、以後一貫してGaN縦型パワーデバイスの要素技術開発、デバイス開発に携わり現在に至る。
2016年 名古屋大学 未来材料・システム研究所に移籍。
2016年から2020年まで、文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発事業」パワーデバイス・システム領域 領域長。
現在、未来エレクトロニクス集積研究センターに所属
エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C-TEFs) 副施設長
開催概要
日 時：2025年7月24日(木) 16:00-17:00
場 所：オンライン（Zoom）
参 加 費：無料 (事前登録制)
主 催：ストックマーク株式会社
※競合企業などのご参加をお断りする場合がございます。予めご了承くださいませ。
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